CY7C1565KV18-500BZXC

CY7C1565KV18-500BZXC je 1,8-V sinhroni cevovodni SRAM, opremljen z arhitekturo QDR II+. Podobno kot arhitektura QDR II je arhitektura QDR II+ sestavljena iz dveh ločenih vrat: vrat za branje in vrat za pisanje za dostop do pomnilniškega polja. Razširitev globine je dosežena z izbiro vrat, kar omogoča, da vsaka vrata delujejo neodvisno.

Vrata za branje imajo namenske podatkovne izhode za podporo operacijam branja, vrata za pisanje pa namenske vhode podatkov za podporo operacijam pisanja. Arhitektura QDR II+ ima ločene vhode in izhode podatkov, da popolnoma odpravi potrebo po âobratu podatkovnega vodila, ki obstaja pri običajnih V/I napravah.

Vsaka vrata so dostopna prek skupnega naslovnega vodila. Naslovi za bralne in pisalne naslove so zaklenjeni na izmeničnih naraščajočih robovih vhodne (K) ure. Dostopi do vrat QDR II+ za branje in pisanje so popolnoma neodvisni drug od drugega. Za povečanje prepustnosti podatkov so vrata za branje in pisanje opremljena z vmesniki DDR.

Vsaka naslovna lokacija je povezana s štirimi 36-bitnimi besedami (CY7C1565KV18), ki zaporedno vdrejo v ali iz naprave. Ker se podatki prenašajo v napravo in iz nje na vsakem naraščajočem robu obeh vhodnih taktov (K in K), je pasovna širina pomnilnika največja, hkrati pa poenostavlja zasnovo sistema z odpravo âobratovâ vodila.

Lastnosti izdelka